容量1メガビット・トランジスタ2個・磁気抵抗素子1個からなり超高速次世代メモリーである磁気メモリー（MRAM)で世界最高速の250メガヘルツ動作の実証実験に成功

　ＮＥＣは、データ保持に電力を消費せず、書き換え回数制限のない超高速次世代メモリーである磁気メモリー（ＭＲＡＭ）で、世界最高速の２５０メガヘルツ動作の実証実験に成功した。

　 今回、動作実証に成功したＭＲＡＭは、同社が独自に開発、設計、試作したもので、容量が１メガビット、トランジスタ２個と磁気抵抗素子１個からなるメモリーセルや独自の回路方式を採用している。これらにより、従来のＭＲＡＭの最高速である周波数１００メガヘルツの２倍以上で、現在のシステムＬＳＩに組み込まれているＳＲＡＭと同等の速度を実現した。ＭＲＡＭは、電源を切ってもデータが保持される機能があり、同様の機能を持つフラッシュメモリーよりも高速動作が可能となっている。

　 今回の実証実験では、モニター回路を使い、読み書き時のメモリー内部の波形を測定することで２５０メガヘルツ動作におけるデータ出力までの所用時間が３.７ナノ秒と、高速動作を確認している。

　 同社では、今回の実証実験の成功はＭＲＡＭの実現に向けて見通しが得られたものであるとし、今後はシステムＬＳＩに組み込んだ形での動作検証を目指して、さらに設計・試作を重ねていくとしている。