内蔵MOSFETの使用により省スペースだけでなく低入力電圧の3.3Vと2.5Vで効率よく動作できる低オン抵抗スイッチ内蔵の高効率・デュアル3A/5Aステップダウンレギュレータ「MAX8833/8855」

　米マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ社は、低オン抵抗スイッチ内蔵の高効率・デュアル３Ａ／５Ａステップダウンレギュレータ「ＭＡＸ８８３３／同８８５５」を発表した。価格は同８８３３が２.５９ドル、同８８５５が３.４１ドル（いずれも１万個受注時の参考価格）。

　二つの新製品は３.３Ｖ、２.５Ｖの入力で動作する。内蔵ＭＯＳＦＥＴの使用により、スペースを節約するだけでなく、大型のディスクリートＭＯＳＦＥＴでは不可能な、低い入力電圧での高効率動作が可能になる。

　内部ＭＯＳＦＥＴは、完全にオンにするのに高い電圧を必要とするディスクリートのＭＯＳＦＥＴに比べ、低電圧用途で優れた性能を発揮する。

　同８８３３と同８８５５は、それぞれ４９ｍΩおよび３７ｍΩと低いオン抵抗を備え、９０％台半ばの効率と、１メガヘル
ツ　以上のスイッチング周波数を提供する。

　パッケージは、両製品とも５ミリ角サイズの３２ピンＴＱＦＮパッケージを採用し、互換性がある。デバイスの低オン抵抗、高効率、小型パッケージにより、複数の電源を必要とするＤＤＲ電源やプロセッサ、高性能基幹業務用機器に最適だ。