電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
1月9日080109_01 スパンション 半導体集積回路 メモリー デジタル情報家電用

独自のチャージとラッピング・ストレージ層の異なる2ヶ所に電荷を格納する65ナノプロセスによる2ビット/セル技術のMicroBitQuadフラッシュメモリー


 米スパンション(バートランド・カンフーCEO)は8日、65ナノメートルプロセスによる「MirrorBitQuad」フラッシュメモリーのサンプル出荷開始を発表した。

  量産は、300ミリメートルウエハーにより日本の製造施設SPI(福島県会津若松市)で行われる予定。

  今回、サンプル出荷を開始した製品は、2ビット/セル技術のMirrorBitテクノロジーを基に開発されたもので、独自のチャージとラッピング・ストレージ層の異なる2カ所に電荷を格納するため、コスト、信頼性、生産性の点でフローティングテクノロジーより優れている。

  当初、1ギガビット品を出荷、続いて複数の容量帯品を予定している。電子書籍、ゲーム、動画、音楽、GPSマップ、フォトアルバムなどのコンテンツ配布用途向け。


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