電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
2月5日080205_05 IMフラッシュテクノロジーズ 半導体集積回路 メモリー デジタル情報家電用

インテルとマイクロンの合弁企業であるIMフラッシュテクノロジーズで開発した線幅50ナノプロセスによる高速8ギガビットシングルレベルセルのNAND型フラッシュメモリー


 米インテルと米マイクロン・テクノロジーはこのほど、現行製品より5倍高速のNAND型フラッシュメモリー技術を開発したと発表した。

 インテルとマイクロンの合弁企業、IMフラッシュテクノロジーズが製品化、線幅50ナノメートルプロセス技術による8ギガビットのシングルレベルセル(SLC)NAND型フラッシュメモリーとして、サンプル出荷を開始している。量産出荷は今年下半期の予定。

 新開発のNAND型フラッシュメモリーは、NANDインターフェイスの新仕様「ONFI2・0」に準拠。より高速動作周波数の4プレーン型アーキテクチャを使用することで、読み込み速度最大200メガバイト/秒、書き込み速度100メガバイト/秒を実現した。

 従来のSLCのNAND型フラッシュメモリーは、読み込み速度が最大で40メガバイト/秒、書き込み速度は20メガバイト/秒以下とされる。

 インテルのNAND製品グループ、マーケティング担当ディレクタ、ピート・ヘイゼン氏は「新しい高速NAND型フラッシュメモリーは、PCIeやUSB3・0などの次世代規格を含む高性能システム・インターフェイスの優位性を生かした、新しい組込みソリューションやリムーバルソリューションを実現する」と述べた。


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