世界で初めてZnO/Siヘテロ接合の直接的な形成プロセスを実用化しそれに伴う量子効果を利用した全く新しいシリコン受光素子「青紫対応高速光ダイオードPDZ702NB」

　コーデンシは世界で初めて、ＺｎＯ／Ｓｉへテロ接合の直接的な形成プロセスを実用化し、それに伴う量子効果を利用した全く新しいシリコン受光素子を開発した。青紫対応高速光ダイオード「ＰＤＺ７０２ＮＢ」として、年内の量産開始を予定している。

　新開発の受光素子は、受光部に従来のようなｐｎ接合を持たずに、高感度と高速応答を同時に実現するもの。ブルーレーザー光に対しても、高い安定性を有する。

　▽受光部サイズ：φ６００マイクロメートル▽高感度：０.２８Ａ／Ｗ　＠λＰ＝４０５ナノメートル▽高速応答：φ６００マイクロメートル　４００メガヘルツ＠ＶＲ＝２Ｖ　φ４００マイクロメートル　９００メガヘルツ　＠ＶＲ＝２Ｖ（開発中）▽小型表面実装パッケージ：２.０（Ｌ）×１.４（Ｗ）×０.８（Ｈ）ミリ▽鉛フリーハンダリフロー実装対応▽使用Ｃｈｉｐ：Ｎ基板タイプ。Ｐ基板も、Ｎ基板同様の技術で対応可能。

　同製品の開発には独自のプロセス技術として、シリコン上に良好な酸化亜鉛結晶薄膜を直接成長させ、それを半導体デバイスとして世界で初めて応用した（同社調べ）。今後、高機能増幅素子や太陽電池、ＬＥＤ、光機能素子など、多くの新機能デバイスへの応用の可能性がある。