ハイブリッドICなどパワーエレクトロニクスで高実績を持つ独自のIMST（絶縁金属基板技術）を生かした高輝度LED実装でLEDの長寿命化や低コストを可能にする「IMSアルミベース基板」

　三洋半導体は、ハイブリッドＩＣなどパワーエレクトロニクス分野で高実績を持つ独自のＩＭＳＴ（絶縁金属基板技術）を生かし、高輝度ＬＥＤ実装でＬＥＤの長寿命化や低コスト化を可能にする「ＩＭＳＴアルミベース基板」の外販を今月から開始する。

　「ＩＭＳＴアルミベース基板」は、同社が１９６９年に開発した「ＩＭＳＴ」パッケージング技術をＬＥＤ実装基板に応用したもの。ＬＥＤのジャンクション温度を低下させることで、ＬＥＤの長寿命化、性能向上が実現する。

　この基板とガラスエポキシ基板に高輝度ＬＥＤを実装し、ＬＥＤの温度上昇を比較した場合、「温度上昇を約６０％低く抑えることが可能になる」としている。

　照度の向上や安定性の確保でも、ＬＥＤ１石当たりの許容電流を増やすことが可能だ。点灯時間によるＬＥＤの温度変化も少なくなり、安定した照度が確保できるという。

　ハイブリッドＩＣ用で月産１８００平方メートルの生産能力と、この分野では世界トップの実績だ。ＬＥＤ実装用で、さらに月1000平方メートルの生産能力を確保しており、放熱性だけでなく、生産コスト面でも「平方メートル当たりで数十％の差はつけられる」としている。

　また、ハイブリッドＩＣ用で実績があるパターン設計まで含め対応が可能なほか、「基板の全プロセスを社内で担当できるのは当社だけ」と差別化を強調。

　間接照明器具用など先行するが、今後は熱伝導率の改善や多層基板への展開など、さらに開発を進める。既に液晶バックライト用への検討などもスタートしている。サンプル出荷は今月から開始する。