幅広いモバイル・アプリケーション向け66ナノメートルプロセス技術を使用し1.2V電源で最高毎秒800メガビットで動作する世界初で世界最速の1ギガビットモバイルLP(低消費電力）DDR2

　韓国のハイニックス半導体は６日、世界初で世界最速の１ギガビット、モバイルＬＰ（低消費電力）ＤＤＲ２を発表した。同製品は米国の半導体標準化団体ＪＥＤＥＣ規格に準拠しており、また国際的なＬＰＤＤＲ２規格をリードするものとして、期待されている。

　同製品は、ハイニックスの６６ナノメートル・プロセス技術を使用しており、１.２Ｖ電源で最高毎秒８００メガビットで動作。モバイルＤＤＲより低い消費電力ながら、より高速で動作する。低消費電力および、９×１２ミリの小型パッケージは高密度容量、高速動作が求められる幅広いモバイル・アプリケーションのニーズを満たす。

　ＳＤＲＡＭ／ＤＤＲ　ＤＲＡＭインターフェイスや、×１６／×３２構成を組み合わせることで、顧客の特定ニーズに対応することも可能だ。ハイニックスは、今年第４四半期（１０―１２月）にＬＰＤＤＲ２の量産を開始し、高性能モバイル・アプリケーションに対する需要増に備える。