電波プロダクトニュース



080527_02
 
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
5月27日080527_02 ルネサス 半導体素子 ディスクリート 一般産業用

ハンディー機器などの送信電力増幅用で高効率と静電気放電イミュニティレベル4の高信頼性を実現した高周波パワーMOSFET


 ルネサス テクノロジは、ハンディ無線機などの送信電力増幅用に、業界最高クラスの高効率と静電気放電イミュニティレベル4の高信頼性を実現した高周波パワーMOSFETで、1W出力用の「RQA0010」と0.25W出力用の「RQA0014」を開発。RQA0010は8月から、RQA0014は9月からサンプル出荷を開始する。

 サンプル価格は、それぞれ32円と21円。10月から月20万個で生産を開始し、09年10月には同50万個を予定している。

 新製品は、新プロセスの採用により、3.6V動作時にRQA0010が電力付加効率60%、RQA0014が同55%と、業界最高クラスの効率を実現。特に2製品で構成した2段アンプでは、3.6V動作で出力1.2Wと、業界トップレベルの性能を実現している。

 また、静電気放電イミュニティ試験については、静電気放電による破壊メカニズムを解析し、破壊個所のデバイス構造の最適化を行うことにより、高効率特性を維持したまま20kV以上を達成し、静電気放電イミュニティレベル4を実現しており、無線機器での高信頼性が図られる。

 RQA0014は主に送信用電力増幅器のドライバー用、RQA0010はパワーアンプ用に適している。使用周波数帯は、業務用無線などで使われる175メガ、500メガヘルツのほか、携帯電話で使われている800/900メガヘルツ帯でも使用できる。

 パッケージは、実績のある小型のUPAK(4.5×2.5×1.5ミリメートル)で完全鉛フリー品となっている。


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