電波プロダクトニュース



080708_02
 
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
7月8日080708_02 インフィニオンテクノロジーズ 半導体素子 ディスクリート 一般産業用

銅ベースのオープンキャビティ型プラスチックパッケージを採用し高性能LDMOS技術使用のRFパワートランジスタ


 独インフィニオンテクノロジーズは、銅ベースのオープンキャビティ型プラスチックパッケージを採用したRF(高周波)パワートランジスタ「PTFA091201GL」「同GF」と「PTFA181001GL」「同HL」を発表した。量産開始は、08年第3四半期を予定している。

 新トランジスタは、同社の高度なLDMOS(横方向拡散金属酸化物半導体)プロセス技術を採用しており、高性能セルラーアプリケーションでパワーアンプに最適だ。

 動作周波数は920メガ―1880メガヘルツで、25Wと50Wの平均出力を持つ変調方式に対応する。

 新しいパッケージは、銅の持つ高い熱伝導性により、耐熱性が12%向上しており、従来のセラミックパッケージと同等の熱性能とRF性能を実現し、総コストを抑え、信頼性を高めることができる。

 「PTFA091201GL」「同GF」は、920メガ―960メガヘルツのEDGE信号条件下で50Wの平均出力、18.5デシベルのゲインと44%の効率を実現する。動作電圧は28V。

 「PTFA181001GL」「同HL」は、1805メガ―1880メガヘルツのWCDMA信号条件下で25Wの平均出力、17デシベルのゲインと27.5%の効率を実現する。動作電圧は28V。


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