インバータ回路向け高品質なGaN（窒化ガリウム）結晶のノーマリオフ型GaNFET

　サンケン電気は、高品質なＧａＮ（窒化ガリウム）結晶をシリコン基板上に厚く成長させる独自の成長技術と新デバイス構造の採用により、ノーマリオフ型ＧａＮＦＥＴを開発、これを用い、業界で初めてインバータ回路における実機動作に成功した。

　今後、さらに低オン抵抗、高耐圧や高信頼性などの性能向上と応用技術の開発を進め、早期の製品化を目指す。

　ＧａＮは、素材に電圧を印加したときに絶縁破壊を起こす最大電界強度「絶縁破壊電界強度」がシリコンに比べ約１０倍と高く、高耐圧の次世代パワーデバイス材料として期待されているが、ＧａＮ使用のデバイス基板は非常に高価で製品の低コスト化が難しい。

　そこで同社は、シリコン基板に絶縁層を組み込む独自の成長技術、基板に掘り込みを入れ、バリア金属と２次元電子ガスを直接接触させる新しい構造を採用、ノーマリオフ型の超低損失・高耐圧（８００Ｖ）のＧａＮＦＥＴを開発した。

　同時に、８００ＶのＧａＮ・ＳＢＤ（ショットキー・バリア・ダイオード）も開発、ＰＦＣ（力率改善）回路の実機動作にも成功している。

　新デバイスの主な用途は、大型ＦＰＤ・ＴＶ、スイッチング電源、インバータ、無停電電源装置、電気自動車、ハイブリッド車などとなっている。

　同社は、３０日から千葉市の幕張メッセで開催される「ＣＥＡＴＥＣ　ＪＡＰＡＮ　２００８」に出展後、特定ユーザーへ試作品をサンプル出荷、評価を経て（６インチウエハーラインによる）量産開始時期を探る。

　▽ノーマリオフ型＝ゲートに電圧を印加していないときに電流が流れない半導体素子。逆に電流が流れる素子がノーマリオン型。