SDRAM用電源向け電源効率96.5%を実現したIntegrated Driver-MOSFET

　ルネサス　テクノロジはＰＣ、サーバーなどのＣＰＵやＤＤＲタイプのＳＤＲＡＭ用電源向けに、高い電源効率と小型化を実現したＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｄｒｉｖｅｒ―ＭＯＳＦＥＴ（ＤｒＭＯＳ）「Ｒ２Ｊ２０６５１ＮＰ」の製品化を発表した。

　 サンプル出荷は２４日から開始する。サンプル価格は３１５円となっている。

　 量産は０９年４月から月産５万個で開始し、１０年４月には同１００万個を予定している。

　 新製品は、２種類のパワーＭＯＳＦＥＴと、これらを駆動するドライバーＩＣを１パッケージに集積して、インテル提唱のパッケージ規格ＤｒＭＯＳのＲｅｖｉｓｉｏｎ３.０に準拠している。

　 ＰＣやサーバーの高機能化に伴い増加する消費電力を抑えるため、ＣＰＵやＤＤＲタイプＳＤＲＡＭの低電圧化が進んでいる。これらの用途向けに新製品では、入力電圧５Ｖを出力電圧１.８Ｖに変換するＤＣ―ＤＣコンバータでは９６.５％の高効率を実現している。

　 また、ドライバーＩＣの入力電圧を従来品の１２Ｖから５Ｖに変更し、装置の省エネルギー化、小型化に貢献する。

　 実装技術では高放熱・低損失パッケージ技術の採用、第１０世代パワーＭＯＳＦＥＴの採用により６ミリメートル角４０ピンＱＦＮパッケージへ実装し、従来品の約半分の実装面積を実現している。

　 さらに、１３０度Ｃを超えたことを発出する温度検出回路や、ローサイド側ＭＯＳＦＥＴを強制的にオフにするなどの安全機能を持っている。