インジウムガリウム亜鉛複合酸化(IGZO)を用い1.5Vで動作可能な薄膜トランジスタ

　日立製作所は、インジウムガリウム亜鉛複合酸化（ＩＧＺＯ）を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャンネル層の厚さを、従来の１０分の１の６ナノメートルに薄膜化することでスイッチの動作性能を向上、電池や無線での駆動を可能にする動作電圧１.５Ｖの実現に成功した。

　透明で室温付近での形成ができるＴＦＴは、薄くて曲げられるプラスチック基板上へ実装することにより、新たな電子機器を実現する技術として期待されている。

　今回試作した酸化物半導体ＴＦＴでは、スイッチの動作性能を示す代表的な指標であるサブスレッショルド係数を２５度Ｃで６３ｍＶ／ｄｅｃ（ミリボルト／ディケード＝電流量を１ケタ上昇させるのに必要な電圧）まで小さくすることができた。

　この値は理論限界値（５９.２ｍＶ／ｄｅｃ）に迫るもので、酸化物ＴＦＴとしては世界最小値。

　この結果、電源電圧１.５Ｖでのドレイン電流のオン／オフ比は８１０以上となる。

　電池や無線による電源供給で動作するフレキシブルなＲＦＩＤやＰＤＡなど、広範囲の新電子デバイスへの応を見込む。

　今回の成果は、１５日から米国サンフランシスコで開催の「ＩＥＤＭ２００８」（国際電子デバイス会議）で発表された。