電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
2月5日090205_03 新電元工業 半導体素子 ディスクリート 一般産業用

高破壊耐量と低オン抵抗実現のパワーMOSFET「HiPotMOS」シリーズ


 新電元工業は、高破壊耐量、低Ron―Qgを実現して環境性能とバランス性能を兼ね備えるパワーMOSFET「HiPotMOS」シリーズを開発、4月から販売する。サンプル価格は100円。

  新製品は、環境性能の一つであるオン抵抗を、同社従来品(VX3シリーズ)に比べ20%以上低減した。

  また、半導体プロセスのセル構造の微細化を進めながら、新しい拡散構造を取り入れることで、低オン抵抗および以前からの特徴である高破壊耐量も維持している。

  さらに、電源回路設計者ニーズに配慮したバランス性能を追求、高破壊耐量の特徴を生かしながら、Ron―Qgを同じく45%低減している。

  この結果、新製品は従来の電源回路から一層環境に配慮した省エネ電源を実現する。保護回路などの外付け部品を減らし、低コスト化、難しい電源回路設計の時間を短縮できるのも特徴だ。

  耐圧は500―600V。定格電流は5―20A。パッケージは面実装のD―PACK、TO―220フルモードの2種類。


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