線幅50ナノ技術採用で世界最速のグラフィックスメモリー「GDDR5」

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子はこのほど、線幅５０ナノメートル級のプロセス技術を使用したグラフィックスメモリー「ＧＤＤＲ（グラフィックス・ダブル・データ・レート）５」の量産を開始したと発表した。世界最速、最高性能のＧＤＤＲ５の投入で、ＰＣやグラフィックスカード、ゲーム機器での高性能メモリーに対する需要の伸びに対応するという。

　サムスンのＧＤＤＲ５は、最大毎秒７.０ギガビットのデータ伝送速度をサポート。

　これまで最高速とされてきたＧＤＤＲ４の毎秒１２.８ギガバイトの帯域幅の２倍以上、最大毎秒２８ギガバイトの帯域幅で３Ｄ画像を表示。１.５ギガバイトのＤＶＤ映画１９本を１秒間で処理でき、ブルーレイやフルＨＤなど最新のデータフォーマットをサポートする。

　ストローブ／クロックでデータや画像を処理するＧＤＤＲ４と異なり、フリーランクロックで動作するため高速処理が実現。５０ナノメートル技術を採用することで、６０ナノメートルクラスの技術を使用した場合に比べ、１００％以上の生産効率向上を達成したという。動作電圧は１.３Ｖ。ＧＤＤＲ４の動作電圧１.８Ｖと比較すると、消費電力を２０％低減できる。

　現在、同メモリーは３２メガビット×３２デバイス構成と、６４メガビット×１６デバイス構成で提供。サムスンは、２００９年にはグラフィックスメモリー市場の２０％をＧＤＤＲ５が占めると予想。０９年中に、自社のグラフィックスメモリー製品の生産に５０ナノメートル技術を適用する計画だ。