電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
2月17日090217_04 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー 移動体通信機器用

業界初の線幅40ナノプロセス使用のDRAMチップとモジュール


 韓国のサムスン電子はこのほど、業界初の線幅40ナノメートル級のプロセス技術を使用したDRAMチップおよびモジュールを開発したと発表した。

  1ギガビットのDDR2チップと、これを使用した容量1ギガバイト、通信速度毎秒800メガビットのDDR2 SODIMMは、いずれも米インテルのモバイルチップセット「Express GM45」シリーズ対応製品として、インテルからプラットフォーム評価認定を受けている。

  40ナノメートル級のプロセス技術への移行によって、チップを市場に投入するまでの期間が前世代プロセスより50%短縮され、わずか1年で新製品をリリースできるようになるという。サムスンは、40ナノメートル級の技術を使用し、09年末までには2ギガビットのDDR3チップを開発する予定だ。

  サムスンによると、新40ナノメートル技術を使用したチップは、50ナノメートルチップに比べ約30%、消費電力を低減できる。また、より微細の技術は、50ナノメートル技術に比べ約60%、生産性を向上させることができるという。さらにサムスンでは、この40ナノメートル技術により、DDR4など超高性能DRAM技術の開発にも弾みがつくと期待している。


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