45ナノプロセスのマルチレベル・セルNOR型フラッシュメモリー

　ニューモニクス（スイス・ジュネーブ、ブライアン・ハリソンＣＥＯ）は、業界初となる４５ナノメートルプロセス技術によるマルチレベル・セル（ＭＬＣ）のＮＯＲ型フラッシュメモリーを開発、サンプル出荷を開始した。２０１０年に量産を開始する予定。

　 新製品は１Ｇｂ（ギガビット）モノリシックデバイスで、同社のＳｔｒａｔａＦｌａｓｈメモリーアーキテクチャを基盤としており、現在、供給中の６５ナノメートルプロセスと完全互換性を持つ。

　 これにより、主要なアプリケーションである携帯電話端末メーカーにとり、開発コストを削減、現在のプラットフォームの寿命を延ばす。大容量ストレージＸＩＰ（直接実行）メモリー能力のメリットを持つ新製品を短期間で市場展開が可能になる。

　 この新テクノロジーによって、データの書き込み速度が従来比５０％向上する。