電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
3月12日090312_01 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー デジタル情報家電用

回路幅40ナノメートル技術を使用、8Gビット「Flex-OneNAND」フュージョンメモリー


 【ソウル支局】韓国のサムスン電子は10日、回路線幅40ナノメートルの先進プロセスを使用した8ギガビット「Flex―OneNAND」フュージョンメモリーの生産を開始したと発表した。40ナノメートル技術の導入により、60ナノメートル級プロセスを使用した最初の製品、4ギガビット「Flex―OneNAND」に比べ、生産性を最大で180%向上させることができるという。

  「Flex―OneNAND」は、サムスンが07年に開発したメモリーデバイスで、コードとデータ処理の両方に高速性、高信頼性が求められる用途向けに設計されている。

  セル当たり1ビット/セルのSLC(シングルレベルセル)と、2ビット/セルのMLC(多値セル)構造のNAND型フラッシュメモリーを1個のチップに統合。MLC部分は、通常のMLC NAND型フラッシュと同程度の書き込み速度と、最大3倍高速の読み取り速度を提供。SLC部分は通常のMLC NANDより最大4倍高速の読み込み速度、最大3倍の書き込み速度を提供する。

  アプリケーション設計者は、付属のソフトウエアを調整することで、SLCとMLC NAND型フラッシュの比率を自由に変えることが可能で、組み込みフラッシュの性能と効率を最大限にすることができる。また、同チップは1個のチップで2つのメモリー機能を担うため、プリント基板上のメモリー実装面積を縮小できるほか、伝送ノイズの低減により性能も向上。

  現在、「Flex―OneNAND」は高性能スマートフォンに採用されているが、サムスンは09年末までにフルHDTVやIPTVなどの新分野にも市場を拡大する考えだ。


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