34ナノプロセス使用の3bpcNAND型MLCフラッシュメモリー

　米インテルとマイクロン・テクノロジーは１１日、３４ナノメートルのプロセス技術を使用して３ｂｐｃ（ビット/セル）のＮＡＮＤ型多値セル（ＭＬＣ）フラッシュメモリーを共同開発したと発表した。

　今回の３ｂｐｃＮＡＮＤ型ＭＬＣフラッシュメモリーは両社のフラッシュメモリー合弁製造会社ＩＭフラッシュテクノロジーズ（ＩＭＦＴ）で設計、生産され、容量は３２ギガビット、サイズは１２６平方ミリ。既にマイクロンによってサンプル出荷されているが、量産は今年第４四半期の予定。典型的な用途はフラッシュカード、ＵＳＢドライブなどの家電用記憶装置。

　 初期のフラッシュメモリーは１セル当たり１ビットが普通。このため容量を増やすにはダイのサイズを大きくすることが必要で、歩留まりも低下した。しかし、ＩＭＦＩでは回路プロセス技術を微細化することで、ダイのサイズを大きくしないでセル当たり３ビットのデータ記録を実現、現行標準の２ビット/セル技術より大幅に記録密度を高め、３２ギガビットという大容量を達成した。

　 今回の開発についてインテルのＮＡＮＤソリューショングループ、ランディ・ウィルヘルム副社長は「当社とマイクロンが３４ナノメートル技術で３ｂｐｃを実現したことは、コストを一段と削減し、ＮＡＮＤフラッシュの容量を増大させる２０ナノメートルのプロセス技術実現という半導体メーカーの計画の大きな一歩になる」と語った。

　 米サンディスクと東芝も３ｂｐｃのフラッシュメモリーを今年下半期に量産出荷の計画である。