SW損失とサージノイズ低減のSiCデバイス内蔵パワーモジュール

　ロームは、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）デバイス内蔵のパワーモジュールを開発し、今月末からエンジニアリングサンプル（ＥＳ）の供給を開始する。

　 モジュールの配線などの内部構造を見直し、工夫した。同社開発のＳｉＣのＭＯＳＦＥＴ、ショットキーバリアダイオードを搭載することにより、同社従来品のシリコン（Ｓｉ）モジュールに比べスイッチング損失、サージノイズともに半減した。

　 まず、１２００Ｖ、１００Ａの２ｉｎ１（ＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオード２組搭載）パワーモジュールのＥＳを今月末から供給する。産業機器のモーター駆動用や太陽光発電システムの電源用などの需要を見込んでいる。将来的にはハイブリッド車、電気自動車向けの用途開発を進めていく。

　 独自のモジュール回路構造でサージ電圧を２５０Ｖから１５０Ｖ（６００Ｖ、１００Ａ、１２５度Ｃの動作状況下での測定）に同社従来品比３５％低減した。

　 これにより、Ｓｉパワーモジュールと同等のサージ電圧でスイッチング損失を約７７％削減した。高周波動作時の発熱も６４％減らした。温度依存性が低く、高温動作時において熱暴走しにくい。

　 今後、保護回路、ゲートドライバーなどから構成されるコントローラの開発を進め、インテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）として商品化を進めていく。