電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
12月7日091207_02 ルネサス テクノロジ 半導体素子 ディスクリート 一般産業用

絶縁型DC-DCコンバータ向けパワーMOSFET12製品


 ルネサス テクノロジは、サーバー・産業機器などの電源に用いられる絶縁型DC―DCコンバータ向け低損失パワーMOSFET12製品の量産を開始した。当初月産10万個、10年7月には100万個を予定。新製品は耐圧40V、60V、80V、100Vと幅広いラインアップなどがそろう。

  新製品12種は、主に非絶縁型DC―DCコンバータ向けで実績ある0.18ミクロンの第10世代プロセスを使用。パワーMOSFETの低スイッチング損失のための重要な特性である「ゲート・ドレイン間電荷量」(Qgd)を従来品に比べ最大50%程度低減した。

  100V耐圧品「RJK1056DPB」のQgdは7.5nCとなっている。

  パッケージには、高性能のLFPAKを採用し、パッケージ抵抗を抑えるとともに、高放熱特性により素子の温度上昇を抑えている。

  一般的なSOP―8などのパッケージと比べ、製品の低損失化をパッケージ面からもサポートできる。内部結線は、直接フレームでつながり、パッケージインダクタンスを抑え、高周波動作にも適している。


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