リチウムイオン電池の充電保護回路用BGA構造のMOSFET

　三洋半導体（田端輝夫社長）は２６日、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）構造で業界最小・最薄サイズのリチウムイオン電池・充放電保護回路用ＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）２品種の製品化を発表、５月からサンプル出荷を開始する。６月に月産３千万個規模で量産開始を予定。携帯端末機器分野における、ＭＯＳＦＥＴ事業の１０年度売上高として前年比１５％増の１５０億円を計画する。

　 リチウムイオン電池パックは、電池の充放時の発熱・劣化を抑えるために、充放電保護回路を内蔵している。今回、開発された新製品「ＥＦＣ４６１２Ｒ」（サンプル価格１００円）、「ＥＦＣ４６１５Ｒ」（同１５０円）は、この充放電回路のスイッチ用途として使用されるＭＯＳＦＥＴ。独自技術によって、低オン抵抗特性と小型・薄型化を業界最高水準で実現した。

　 パッケージサイズはＢＧＡ構造により、１.６ミリメートル角で高さ０.３７ミリメートル。同社従来品の「ＥＦＣ４６０１Ｒ」に比べ、実装面積で３９％削減、実装高では３３％の低背化を実現。

　 ＢＧＡ構造に裏面保護膜技術による保護膜を付けて耐衝撃性を確保し、外部からの衝撃からチップを保護している。鉛フリー、ハロゲンフリー、高性能化による省エネルギー、レアメタル使用の削減、小型・薄型化による原材料の省資源化など、ＲｏＨＳ指令に対応した環境配慮型製品。

　 同社の携帯機器のリチウム電池充・放電保護回路用ＭＯＳＦＥＴの世界シェアは現在、約２５％と推定されているが早期の３０％確保を目標に置く。