40ナノプロセスによる4ギガビットDDR3 SDRAM

　エルピーダメモリ（坂本幸雄社長）はこのほど、４０ナノメートルプロセスによる世界最大容量の４ギガビットＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭの開発を完了、６月までにサンプルを開始する。１０年第３四半期（７―９月）に広島工場（東広島市）で量産開始を予定。

　 開発された４ギガビットＳＤＲＡＭ（３品種）は、同じ４０ナノメートルプロセスの２ギガビットＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭ２個（４ギガビット相当）に比べ、消費電力を約３０％削減、サーバー、データセンターなどの高密度メモリーシステムの低消費電力化に貢献する。

　 ＤＤＲ３標準の１.５Ｖだけでなく低電圧１.３５Ｖもサポートすることで、システムのさらなる低消費電力化を実現した。ノートＰＣ向けの８ギガバイトＳＯ―ＤＩＭＭ（４ギガビットＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭを１６個搭載）や、デジタル家電向けに４ギガビットＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭ単品での出荷も行う。

　 ターゲット市場はサーバー/ワークステーション、ＰＣ/ノートＰＣ、デジタル家電機器、ゲーム機器など。