ピーク出力が世界最高値の100倍の青紫色超短パルス半導体レーザー

　ソニーの先端マテリアル研究所と東北大学未来科学技術共同研究センターの横山弘之教授は、レーザー光のピーク出力を従来の世界最高値から１００倍向上させた青紫色超短パルス半導体レーザーを開発した。開発に成功したのは独自構造窒化ガリウム（ＧａＮ）系モード同期型半導体レーザー。波長４０５ナノメートルの青紫色領域で、３ピコ秒（ピコは１秒の１兆分の１）の超短時間幅、１００Ｗの超高出力ピーク出力、１ギガヘルツの繰り返し周波数を持つ、光パルスを発生できる。

　 高強度を実現したことで２光子吸収と呼ばれる非線形現象を利用することが可能。レーザー光をレンズで集光した場合、焦点付近でだけ、レンズの焦点スポット径より小さい領域で化学変化や熱変化を起こすことができる。

　 これにより、ナノメートルオーダーの３次元微細加工や次世代大容量光ディスク記録などへの応用の可能性があるとみられる。今後は高出力化や多機能化など基盤技術の育成を進めるとともに、システムの小型化や安定化など実用化を目指す。