送信用電力増幅器向けL帯からC帯まで使用可能なGaNHEMT

　三菱電機は、携帯電話基地局や衛星通信地球局などの送信用電力増幅器向けに、Ｌ帯からＣ帯（０.５ギガ―６ギガヘルツ）まで使用できる「ＧａＮ　ＨＥＭＴ」（窒化ガリウム・高電子移動度トランジスタ）３種のサンプル出荷を８月から開始する。

　 新製品は出力１０Ｗ、２０Ｗ、４０Ｗ品の３種。高効率を特徴とし、４６％以上の電力付加効率を実現している。

　 ４７Ｖの高電圧動作にも対応している。パッケージは４.４×１４.０ミリメートルの小型パッケージで実装面積を削減できる。

　 通信機器の送信部には従来、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）を用いた電力増幅器が用いられてきたが、近年はＧａＡｓよりも高い飽和電子速度と絶縁破壊耐圧を持ったＧａＮのＨＥＭＴを用いた増幅器に注目が集まっている。

　 ＧａＮ　ＨＥＭＴは電力効率が良く、送信機の小型・軽量化や省電力、長寿命化が図れるなどの特徴がある。