25ナノプロセスによる64ギガビットNANDフラッシュメモリ

　米インテルとマイクロンテクノロジーは１７日、２５ナノメートルプロセス技術による３ビット/セル・ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーのサンプル出荷を開始した。容量は６４ギガビット（８ギガバイト）。ダイサイズは１３１平方ミリで、業界最小にして最大容量のＮＡＮＤ型フラッシュとなる。小型で大容量、低コストが求められるＵＳＢ、ＳＤフラッシュカード、民生電子向けに提供される。

　 同メモリーは、両社の合弁会社、ＩＭフラッシュテクノロジーズ（ＩＭＦ）が設計したもので、１セル当たり３ビットの情報を格納できる。１ビット/セルのシングル・レベル・セル（ＳＬＣ）、２ビット/セルのマルチ・レベル・セル（ＭＬＣ）に対して、３ビット/セルはトリプル・レベル・セル（ＴＬＣ）とも呼ばれる。

　 インテルとマイクロンは昨年８月に、３４ナノメートル技術による容量３２ギガビット、ＴＬＣのＮＡＮＤ型フラッシュを発表。また今年２月には、世界初の２５ナノメートル技術を適用した６４ギガビット、ＭＬＣ・ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーをリリースした。

　 新メモリーは、今日の業界最小２５ナノメートルＭＬＣと同じ記憶密度で、ダイの大きさは２０％小型化を実現。これは、小型設計の民生機器用メモリーカード向けとしては、特に重要な要素になると両社は強調する。

　 ６４ギガビットＴＬＣ・ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは現在、ＴＳＯＰパッケージに集積され、一部顧客向けにサンプル出荷中。量産は年内にも開始される予定だ。