携帯機器向け0.9/1.2Vの低電圧駆動MOSFETシリーズ14種

　三洋半導体は、業界で最も低い０.９Ｖで動作する低電圧駆動ＭＯＳＦＥＴシリーズ（１４種）を開発し、今月から順次サンプル出荷を開始する。乾電池１本での駆動など、各種携帯機器の電源/電池対応の幅を広げる。サンプル価格は５０円から。

　 新しい低電圧駆動ＭＯＳＦＥＴシリーズは、Ｐチャンネル品、Ｎチャンネル品の両極性で、０.９Ｖ駆動品、１.２Ｖ駆動品をラインアップする。

　 Ｐチャンネル品の０.９Ｖ駆動は業界初。また電流定格も１Ａ以上と業界最高の大電流デバイスを実現している。０.９Ｖ駆動品の最大ゲート―ソース間印加電圧は５Ｖ。

　 ０.９Ｖ駆動により、リチウムイオン電池１セルのスイッチや、乾電池、ニッケル水素充電池を採用した携帯機器で使用可能。

　 これらの機器では、従来、バイポーラトランジスタが使用され、ＭＯＳＦＥＴにより機器の低消費電力化、駆動電力の低減を実現する。

　 また１.２Ｖ駆動品は、最大ゲート―ソース間印加電圧は９Ｖと高く、２直リチウムイオン電池でも駆動可能。０.９Ｖ、１.２Ｖ駆動品双方で、携帯機器で使用される多様な電源/電池構成に対応できる。

　 ０.９Ｖという低い電圧での駆動には、ゲートのしきい値電圧を低減することが不可欠。だが、しきい値電圧を下げることでドレイン―ソース間のリーク電流が増大するという課題があった。

　 同社では、リーク電流を下げるため、ゲート構造を見直すなど新プロセスを導入し、リーク電流を従来品と同等に抑えながら、０.９Ｖ以下のしきい値電圧を達成した。

　 また同時に、低電圧駆動でのオン抵抗の増大を抑えることに成功。ゲート―ソース間電圧０.９Ｖ時のオン抵抗は、Ｐチャンネル品で２５０ｍΩ、Ｎチャンネル品で１６５ｍΩを達成している。

　 低電圧駆動化によって多様な電源・電池構成に対応し、低電力化に貢献するだけでなく、昇圧回路なしにマイコンからの直接駆動も可能になるため、部品点数の削減にも貢献する。