2ミリ角サイズの10AパワーMOSFET「SSM6J501NU」

　東芝セミコンダクター社は９月から、２ミリ角サイズパッケージで業界トップクラスの低オン抵抗を実現した１０Ａ対応パワーＭＯＳＦＥＴ「ＳＳＭ６Ｊ５０１ＮＵ」のサンプル出荷を開始する。１セルリチウムイオン電池などの充電回路向け。サンプル価格は２０円で、量産は１２月からを予定している。

　 新製品は、同社独自の最先端微細プロセスを採用しチップ性能を高めると同時に、ボンディングワイヤを多線化することにより、オン抵抗を従来品比半減させた。ゲート―ソース間電圧（ＶＧＳ）１.５Ｖ時のドレイン―ソース間オン抵抗（ＲＤＳ）は４３ｍΩ。

　 最大電流定格は１０Ａと、急速充電などで求められる大電流対応となっている。

　 パッケージは、ＬＧＡタイプの６ピンＵＤＦＮを使用。同５０１ＮＵと同一パッケージで最大電流定格６Ａ品（２品種）も同時に発売する。

　 同社は、０９年に２.０×２.１ミリメートルサイズパッケージ品で、多線ワイヤよりも抵抗が小さい「ストラップボンディング」を採用した製品（型番ＳＳＭ６Ｊ４０９ＴＵなど）の量産を開始。

　 今後、ほぼ同サイズのＵＤＦＮパッケージ品にもストラップボンディング技術を適用し、さらにオン抵抗を低減したＭＯＳＦＥＴを投入していく。