線幅30ナノ技術使用の4GbitDDR3 DRAM

　韓国のハイニックス半導体はこのほど、世界で初めて線幅３０ナノメートル級のプロセス技術を使用した４ギガビッ
トＤＤＲ３　ＤＲＡＭを開発したと発表した。大容量プレミアムサーバー、ハイエンドＰＣなど、高性能、大容量、低消費電力が求められる製品分野をターゲットとする。

　 新ＤＲＡＭは、前世代４０ナノメートル技術を適用した製品に比べると処理性能が高速化、生産性も７０％アップした。グリーン技術の採用と１.２５Ｖ超低電圧で、４０ナノメートル技術による容量２ギガビットチップに比べて６０％以上の省エネも実現する。

　 ハイニックスでは、まず第１四半期（１―３月）中に、３０ナノメートル級技術による２ギガビットＤＤＲ３　ＤＲＡＭの量産に着手する予定だ。