電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
1月20日 110120_01 ルネサスエレクトロニクス 半導体集積回路 メモリー 一般産業用

低消費の576Mビットで高速のLow Latency DRAM5品種


 ルネサスエレクトロニクスは、通信機器向けの高速メモリーとして、低消費電力を特徴とした容量576メガビットのLow Latency DRAM5品種のサンプル出荷を開始した。サンプル価格は5千円、11年後半から量産を開始し、12年には5品種合計で、年間200万個以上の生産を計画している。

  新製品は、同社従来品に比べて容量を2倍にし、データを高速に読み書きするランダムサイクル性能を25%向上させた。また、最大動作周波数を33%高速化したうえに、消費電力を10%以上削減した。

  新製品の採用で、従来品と比べて単位メモリー容量当たりの消費電力を大幅に抑制でき、省エネに貢献できるほか、ネットワーク機器の設計における放熱問題の解決が容易になる。

  パッケージサイズは、11×18.5ミリメートルサイズと従来品と同じ。プリント基板の設計を大きく変更することなく、メモリーの大容量化・高速化によるシステム性能の向上を実現することができる。

  ルネサスは、通信機器向けのメモリーとして一般的なQDR SRAM、Low Latency DRAM、TCAMを提供できる唯一のメーカー。

  「世界トップの品ぞろえを目指して、今後も最先端の技術でネットワーク機器市場のニーズを満たすメモリーの開発を続け、ネットワークメモリーにおいて09年度世界トップの40%のシェアを、12年度には60%へと拡大する」(同社)としている。



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