電波プロダクトニュース

120127_01 日付 メーカー名 製品分類 分類 用途 1月27日 120127_01 ルネサスエレクトロニクス ユニット 電源・アンテナ・高周波部品 一般産業用 電源変換回路を１パッケージにした「SiC複合パワーデバイス」 　ルネサスエレクトロニクスは、SiC（炭化ケイ素）によるダイオードを用いて電源変換回路を１パッケージ化した「SiC複合パワーデバイスシリーズ」を2月からサンプル出荷する。サンプル価格は1千円。 　新製品は、SiCショットキーバリアダイオード（SBD）と、高耐圧パワーMOSFETやIGBTを１パッケージ化。エアコンや通信基地局、サーバー・パソコンなどのパワースイッチング回路やモーター、産業機器などに搭載するインバータ回路を省スペースで実現する。 　エアコン、薄型テレビ電源向けの臨界モードPFC（力率改善回路）用の「RJQ6020DPM」は、SiC―SBDとパワーMOSFETを集積。動作効率は97.8％を実現している。SBD、パワートランジスタをそれぞれ個別に構成していた従来の回路に比べ損失を26％低減している。SiC―SBDの逆回復時間は15ナノ秒と高速で、パワーMOSFETには高効率のスーパージャンクション型で、100ｍΩの低オン抵抗を実現している。 　連続モードPFC用「同6021DPM」は、通信機器のAC―DC整流器、サーバーのPFC向けで、SiC―SBDとIGBTを内蔵。 　インバータ用ハーフブリッジ「同6022DPM」はSiC―SBD、IGBTをそれぞれ２個搭載。同製品2個の使用でフルブリッジ、3個使用で3相ブリッジの構成を実現できる。 　ルネサスでは、日立製作所と共同でSiC―SBDを開発。11年にSiC―SBD発売している

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