LTEを含む携帯電話向けマルチバンドRFトランシーバLSI

　富士通セミコンダクターは、FDD―LTE、TDD―LTEの両ＬＴＥを含むあらゆる携帯電話通信方式に対応し、従来に比べ3割程度の低消費電力化と小型化を図ったマルチバンドRFトランシーバLSIを製品化した。5月からサンプル出荷を開始する。

　新製品「MB86L11A」は、RFトランシーバＬＳＩの送信出力回路部に必要な増幅器（アンプ）を不要にする新回路方式を採用するなどし、消費電力とデバイスサイズをそれぞれ従来品比3割程度削減した。

　また新製品は、FDDとTDDの両ＬＴＥ方式をはじめ、HSPAプラス、WCDMA、GSM、EDGE、EDGE―VEO、CDMA、TD―SCDMAの全モードに対応。また、各国で使用される周波数帯にも対応する。国を問わず世界各国で使用可能な携帯電話へのニーズが高まる中で、マルチモード、マルチバンド対応を実現している。

　ダイバーシティ用に受信回路も２系統内蔵。ベースバンドＬＳＩとのインターフェイスは従来の第２、第３世代方式対応ベースバンド用にＭＩＰＩ規格準拠の「3G DigRF」と、LTE向け「4G DigRF」（バージョン1.0）を用意した。内蔵プロセッサに信号制御内容をプログラムすることでハード変更なしにＲＦ信号制御などの微調整ができ、開発、検証期間を短縮できる。

　90ナノCMOSプロセス技術を採用。業界最小6.6ミリメートル角、高さ0.9ミリメートルサイズの195ピンBGAパッケージ（ピン間０.４ミリメートル）を採用している。