電波プロダクトニュース



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5月21日 120521_01 サムスン 半導体集積回路 メモリー 移動体通信機器用

20ナノ級プロセス適用の4Gbit低消費電力DDR2モバイルメモリー


 【ソウル支局】韓国サムスン電子はこのほど、業界初の20ナノメートル級プロセスを適用した4ギガビット低消費電力(LP)DDR2モバイルメモリーの量産を開始したと発表した。

 同社は昨年、線幅30ナノメートル級プロセスによる4ギガビットDRAMの量産に着手したが、より微細プロセスに移行することで生産性を向上、コスト競争力を一層強化できると期待。また先進技術は、チップのデータ処理高速化と、大幅な低消費電力を実現し、最新のスマートフォンやタブレット端末の大容量、高性能メモリー要件に対応できるとしている。

 さらに、新チップは次世代の超薄型モバイル機器の要件も満たす。同チップはシングルLPDDR2パッケージに4個集積でき、サムスンはこれをベースに、0.8ミリと超薄型の2ギガバイトメモリーソリューションを開発。

 このパッケージ製品は、30ナノメートル級4ギガビットLPDDR2チップを4個集積した従来の2ギガバイトソリューションに比べ、約20%の薄型化を実現。

 さらに、従来品と同じ消費電力で最大1066Mbpsのデータ処理が可能という。

 サムスンは、今年下半期にはDRAM生産全体に占める20ナノメートル級製品の割合を大幅に拡大し、4ギガビットDRAMのメーンに据えたい考えだ。

 米調査会社IHSアイサプライによると、4ギガビットLPDDR2の出荷数は今後大幅に増加し、12年には全DRAM出荷の13%を構成。13年には49%まで拡大し、DRAMの主流になるとみられている。


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