電波プロダクトニュース



120604_01
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
6月4日 120604_01 ローム 半導体素子 ディスクリート 一般産業用

DC-DCコンバータ向けSW性能に優れたパワーMOSFET


 ロームは、DC―DCコンバータ向けに業界最高クラスのスイッチング性能を実現した耐圧30VのパワーMOSFETを開発し、5月から量産を開始した。低損失、高効率のパワーMOSFETに必要な低オン抵抗、低ゲート容量というトレードオフの関係を微細化と独自の低容量構造、新構造の「トレンチ型フィールドプレート構造」を採用することで両立させた。耐圧30V、3種の小型パッケージで16製品をラインアップした。各種機器のDC―DC電源回路の低消費電力化が図れる。

 新開発のパワーMOSFETは、ゲート構造を変更し、ゲート容量を低減。新構造のトレンチ型フィールドプレート構造の採用と微細化により、低ゲート容量と低オン抵抗の両立を可能にした。パワーMOSFETのスイッチング性能指数「FOM(Ron×Qgd)」を同社従来品の16mΩ.nCから8mΩ.nCに50%低減し、業界トップクラスの高効率化を実現した。耐圧30V。

 同期整流型DC―DC電源回路に用いると、同社従来のMOSFETを採用した場合と比べ変換効率を2%改善できる。電力損失も同社従来品比300キロヘルツ で16%、670キロヘルツ で18%、1メガヘルツ で22%それぞれ改善。機器の低消費電力化に貢献できる。

 生産は前工程がローム本社(京都)、後工程はローム インテグレイティッド システムズ(タイランド)。4月にサンプル出荷を開始し、5月から月産能力100万個で量産をスタートした。

 用途に合わせて8ピンHSOPシングル(5.0×6.0ミリメートル)、8ピンHSMT(3.3×3.3ミリメートル)、8ピンHSOPデュアル(5.0×6.0ミリメートル)の3小型パッケージを用意した。HSMT8はHSOP8に比べ実装面積を65%削減。HSOP8デュアルはDC―DC電源回路におけるHighSide用MOSFETとLowSide用MOSFETを複合化した新パッケージ。

 HSOP8シングルで9品種、HSMT8で5品種、HSOP8デュアルで2品種の計16品種を取りそろえた。


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