SiC（炭化ケイ素）を用いたパワーモジュール5品種

　三菱電機は、SiC（炭化ケイ素）を用いたダイオードとトランジスタを搭載したSiCパワーモジュール5品種を31日から順次、サンプル出荷する。エアコンなどの家電向け3品種と、産業機器などで使用される汎用インバータなど向け2品種を製品化した。

　SiCは従来のシリコン（Si）に比べ、電力損失の大幅な低減やスイッチングの高速化が実現でき、次世代パワー半導体材料として期待される。三菱電機がサンプル出荷を開始するモジュールには、ショットキーバリアダイオード（SBD）、MOSFETともにSiCを用いた「フルSiCモジュール」も一部含まれる。

　8月サンプル開始予定の家電向けの「フルSiC DIPPFC」（定格電圧600V）は、Si品に比べ電力損失を約45％低減。最大50キロヘルツ　の高速スイッチングも実現。従来の超小型DIPIPMと外形寸法の互換性を確保。このほか、家電向けには、SiC―SBDとSi―トランジスタによるハイブリッドモジュール2品種をラインアップする。

　産業機器向けでもハイブリッド品とフルSiC品を製品化。13年1月サンプル出荷予定の産業向けフルSiC（定格電圧1200V／定格電流800A）では、従来のSi―IGBTモジュールに比べ電力損失で約７割低減し、実装サイズも6割程度削減可能となっている。