電波プロダクトニュース



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9月25日 120925_01 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー 移動体通信機器用

次世代モバイル向け30ナノ級プロセス採用の2GBのDDR3


 韓国のサムスン電子はこのほど、次世代モバイル機器向けとして、30ナノメートル級プロセスを使用した2ギガバイト低消費電力DDR3(LPDDR3)メモリーの量産を開始したと発表した。

 LPDDR3は、今年5月に半導体技術の標準化団体JEDECにより仕様が公開された次世代モバイルDRAM。

 スマートフォンやタブレット端末における高速処理、高解像度ディスプレイ、3Dグラフィクスに不可欠の技術と、サムスンは説明している。

 ピン当たりのデータ伝送速度は最大1600メガビット/秒で、現在主流のLPDDR2に比べ、約50%高速化。

 またパッケージレベルの伝送速度は最大12.8ギガバイトとなり、スマホやタブレット端末で、フルHD動画コンテンツのリアルタイム再生を可能にする。

 サムスンは昨年10月に、業界初の30ナノメートル級プロセスベースの2ギガバイトLPDDR2の生産を開始しており、それからわずか10カ月で、最新のモバイルDRAMチップの量産に着手した。



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