DDR3インターフェイス搭載の64メガビット容量MRAM

　東京エレクトロンデバイス（ＴＥＤ）は、米エバースピン・テクノロジーズが６４メガビット容量ＭＲＡＭの限定出荷を開始したと発表した。エバースピン社の取り扱いはＴＥＤの子会社パネトロンが行う。

　ＭＲＡＭは次世代不揮発性メモリーとして注目され、不揮発性を持ちながら、ＤＲＡＭの高速性、書き換え耐性を備える。エバースピン社は、世界に先駆けた市販ＭＲＡＭとして、このほど「Ｓｐｉｎ　Ｔｏｒｑｕｅ―ＭＲＡＭ（ＳＴ―ＭＲＡＭ）」のサンプル出荷を開始。

　６４メガビット容量で、ＤＤＲ３インターフェイスを搭載。メモリーバンド幅は毎秒３.２ギガバイト。

　ＲＡＩＤストレージやＳＳＤのバッファメモリー、キャッシュメモリーに応用することで、電源遮断時のデータ保持や書き換え耐性の改善、部品点数の削減が図れる。