130318_01 NXPセミコンダクターズ

電波プロダクトニュース



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3月18日 130318_01 NXPセミコンダクターズ 半導体素子 ディスクリート 移動体通信機器用

DFNパッケージ封入の低飽和電圧ダブルトランジスタ


  NXPセミコンダクターズは、業界初の2×2ミリメートルDFN(ディスクリート・フラットノーリード)パッケージに封入した低飽和電圧ダブルトランジスタを発表した。低コレクタ電圧のリードレス薄型DFN2020―6(SOT1118)パッケージで提供される新製品は、コレクタ・エミッタ電圧30、60、120V、3タイプの15種類。現在、量産出荷中だ。

 この超小型ダブルトランジスタは、最大2Aのコレクタ電流能力を備え、最大3Aのピーク電流に対応する。同時に60mVまで抑えた超低飽和電圧で高効率を実現し、低消費電力で長バッテリ寿命が求められるモバイルアプリケーションに威力を発揮する。また、スマートフォンやタブレットなどに搭載されるロードスイッチや電源スイッチ、電力制御、充電回路ほか、バックライトユニットなど、省スペースが要求されるアプリケーションに最適の製品だ。

 DFN2020―6は、標準のSO8パッケージの8分の1のサイズで、優れた熱性能を提供。ヒートシンクを備えた厚さわずか0.6ミリメートルのDFNパッケージは、SO8やSOT457などほかのトランジスタ・パッケージより小型で、従来製品からの置き換えも簡単にできる。全製品が車載規格AEC―Q101に準拠している。


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