CSP採用で68mΩの超低オン抵抗実現のMOSFET

　パナソニック　デバイス社は、業界トップレベルの小型チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）を採用し、６８ｍΩの業界トップレベルの低オン抵抗を実現したＭＯＳＦＥＴを開発し、６月から量産を開始する。

　極性Ｎチャネルの「ＦＫ４Ｂ０１１シリーズ」（ＣＳＰサイズ０.８×０.８×０.１ミリメートルを６月量産、同０.６×０.６×０.１ミリメートル、１.０×１.０×０.１ミリメートルを９月量産）と同Ｐチャネルの「ＦＪ４Ｂ０１１シリーズ」（同）の２シリーズを取りそろえた。スマートフォン、タブレットなどのモバイル機器の電源回路向けに供給する。２シリーズ合わせて月産１２００万個を予定。

　モバイル機器で使用されるＭＯＳＦＥＴの小型化、薄型化の要望に加え、電流を効率良く利用できるようにするオン抵抗の低減や、機器を低い電圧で動作可能にするための低電圧動作の要望に応えた。

　新開発のＣＳＰ―ＭＯＳＦＥＴはＰチャネル２５０ナノメートルプロセスルール、Ｎチャネル１１０ナノメートルプロセスルールを用い、トレンチ構造を形成。単位面積当たりのオン抵抗の大幅な低減を実現した。

　０.８×０.８ミリメートルサイズでオン抵抗６８ｍΩ（ＰチャネルＶＧＳ＝２.５Ｖ）達成を可能にした。ＶＧＳ＝１.５Ｖ低電圧駆動で機器の低消費電力化が図れる。