電波プロダクトニュース



130404_01
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
4月4日 130404_01 三菱マテリアル 電子材料 電子材料 一般産業用

圧電MEMSデバイス向けPZT圧電膜用ゾルゲル材料


 三菱マテリアルは、圧電MEMSデバイス向けに、従来よりも約4倍の高スループット成膜を可能にするチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)圧電膜用ゾルゲル材料を開発した。

 PZT膜を搭載した圧電MEMSデバイスは、インクジェットヘッドをはじめRFスイッチなどのアクチュエータ用途やジャイロセンサー、振動センサーなどのセンサー用途において実用化が始まっている。PZT膜の成膜手法としてはスパッタリング法とゾルゲル法があり、今回はゾルゲル法を用いたもの。

 開発したゾルゲル法では1回の成膜工程で得られる膜厚を増大させるため、ゾルゲル材料の組成や成膜プロセスを改良した結果、膜厚を約400ナノメートルとすることで、積層回数の大幅な削減を可能にしたもの。これにより、成膜スループットを8.8マイクロメートル/時にするとともに、膜の圧電定数を-15C/平方メートルとデバイスとして実用上十分な数値であることを確認した。

 同社では、今回の開発技術を向上させるため、今後は成膜装置メーカーとも協力し、8インチ Siウエハーサイズでの量産成膜プロセスを構築していくという。


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