20ナノ技術使用の4ギガビットLP　DDR3モバイルDRAM

【ソウル支局】韓国のサムスン電子はこのほど、業界で初めて２０.ナノメートル級のプロセス技術を適用した超高速４ギガビットＬＰ（低消費電力）ＤＤＲ３モバイルＤＲＡＭの生産を開始したと発表した。

　ＰＣに使用される標準ＤＲＡＭに匹敵する性能を提供し、特にハイエンドのスマートフォンやタブレットなど、次世代モバイル機器用に設計されている。

　ピン当たりのデータ転送速度は最大２１３３メガビット／秒（Ｍｂｐｓ）で、前世代ＬＰＤＤＲ２の２倍以上。これを組み込んだモバイル端末では、フルＨＤ動画３本、計１７ギガバイトのデータをわずか１秒で転送が可能。また５インチ以上の大画面を搭載したスマホでフルＨＤ動画をシームレスに表示できる。

　３０ナノメートル級プロセスによるＬＰＤＤＲ３　ＤＲＡＭと比べると、性能は３０％以上向上、同時に２０％の省エネを実現。これをシングルパッケージに４個集積した２ギガバイトパッケージ製品は高さ０.８ミリで、薄型化が進むモバイル機器に最適だ。 　サムスンは、今年後半にも先進の２０ナノメートルモバイルＤＲＡＭの量産に着手し、メモリー業界におけるリーダー企業としての競争力を一層、強固なものにすると意気込む。

　米調査会社ガートナーによると、１３年の世界のＤＲＡＭ市場規模は前年比１３％増の２９６億ドルに達する見通し。 　このうち、モバイルＤＲＡＭの売上げは１００億ドルを超え、市場全体の約３５％を構成する見込み。