20ナノ級プロセス採用でLPDDR3準拠の8ギガビットDRAM

　半導体メモリー大手、韓国ＳＫハイニックスはこのほど、業界初の２０ナノメートル級プロセスを適用したＬＰＤＤＲ（低消費電力ダブルデータレート）３準拠の８ギガビットＤＲＡＭを開発したと発表した。同社は高密度、超高速、低消費電力を特徴とする最高性能のモバイル・メモリーソリューションと自信を見せている。

　同チップは、シングルパッケージに４個を積み上げ、最大４ギガバイトのソリューションとして利用できる。高密度ながら、パッケージは既存の４ギガビットチップの製品より薄く、最新のモバイルアプリケーションに最適だ。

　データ伝送速度では、既存のＬＰＤＤＲ３の１６００メガビット／秒を大きく上回り、２１３３メガビット／秒で動作。３２ビットＩ／Ｏで、シングルチャンネル時最大８.５ギガバイト、２チャンネルで１７ギガバイトのデータ処理が可能だ。動作電圧は１.２Ｖ。ＬＰＤＤＲ２製品に比べて動作速度は２倍高速となり、待機時消費電力は１０％以上少ない。

　ＳＫハイニックスでは、新チップをパッケージ・オン・パッケージ（ＰｏＰ）、モバイル機器用のｅＭＭＣシングルパッケージ、ハイエンドのウルトラブックやタブレット向けにオンボードタイプと、様々な形で提供する。

　新製品は現在サンプル出荷されており、今年末には量産が開始される予定だ。

　同社は、２ギガバイトを超える高集積ＬＰＤＤＲ３メモリー製品は下半期以降、ハイエンドモバイル機器への採用が本格化すると予想。「急速に進化するモバイルアプリケーション業界向けに最先端技術を開発し、高性能製品で市場をリードしていく」と述べた。