電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
10月10日 141010_01 デンソー 半導体素子 ディスクリート 自動車機器用

トレンチゲート構造で低オン抵抗実現のSiC-MOSFET


新ブランド「REVOSIC」としてサンプル
出荷を開始したSiC―MOSFET

 デンソーはこのたび、高品質SiCウエハーを用いたパワー素子を「REVOSIC」としてブランド化し、サンプル出荷を開始した。7日に開幕したシーテックジャパン2014で発表され、注目を集めている。

 革新的なSiC技術で社会に変革を促すことを目指しREVOSIC≠ニ名付けた。このSiC―MOSFETは、トレンチゲート構造で低オン抵抗を実現した。

 TO―247パッケージ、あるいはKGD(Known Good Die)で供給。モジュール技術と組み合わせることで、インバータ損失を約4分の1に低減し、高負荷域でも99%という高いインバータ効率を実現する。

 車載用だけでなく産業用としての採用も見込んでおり、幅広い分野に向けてパワーシステムソリューションを提供する。

 サンプル品は6インチプロセスで製造された。RAF法という異方向の結晶成長を繰り返すことで、欠陥低減率99%以上という高品質なSiC結晶を成長させる技術を用いて製造。

 低欠陥なウエハーを用いることで高い歩留まりを実現している。

 量産は来年をメドに開始する方針。愛知県内の自社工場での生産を予定しており、量産体制の確立に向け準備を進める。

 同社は長年、SiC素子の研究開発に取り組んでおり、トヨタ自動車および豊田中央研究所との共同開発も進めてきた。自動車市場で培った半導体パワー素子の高い性能と信頼性をベースに、幅広い産業の技術革新に貢献する。


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