電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
7月30日 150730_02 ルネサス 半導体集積回路 メモリー 一般産業用

ソフトエラー耐性500倍で110ナノプロセスの16/32MビットSRAM


ルネサスの16/32メガビットSRAM

 ルネサスエレクトロニクスはこのほど、110ナノメートルプロセスを採用した16メガビットSRAM「RMLV1616Aシリーズ」と、32メガビットSRAM「RMWV3216Aシリーズ」を発表した。

 同社の低消費電力SRAMの主力製品であるAdvanced Low Power SRAMの新製品。

 課金データやシステムプログラムなど、重要情報が格納されるSRAMへの高い信頼性が求められるなかで、アルファ線や中性子線の入射によってメモリー情報が失われる「ソフトエラー」への対策が重要視されている。

 両製品は、一般的なフルCMOS型メモリーセルに比べて500倍以上のソフトエラー耐性を持つメモリーセルを採用。待機時電流を同社の従来製品比で2分の1以下に低減しており、バックアップ電池の長寿命化にも貢献可能。

 サンプル価格は、16メガビット品が1800円、32メガビット品が3400円(いずれも税別)。9月からサンプル出荷、10月からは量産を順次開始する。


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