SiCやGaNのパワーデバイス対応の高耐熱半導体封止材

パナソニックＡＩＳのパワーデバイス向け高耐熱 半導体封止材

　パナソニックＡＩＳ社はＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）のパワーデバイスの高温動作に対応できる、業界最高の高耐熱半導体封止材を開発した。

　ガラス転移温度２１０度を実現した。同社従来品は１７０―１８０度だった。長時間、高温にさらされると封止材の強度が低下し、割れ（クラック）や剥離が生じていたパワーデバイス向け半導体封止材の課題を解決した。

　長期信頼性が求められる産業や車載のインバータ用などのＳｉＣ、ＧａＮのパワーデバイス、パワーモジュールのモールド成形用封止樹脂として１０月にサンプル出荷を始め、１６年１２月から量産を開始する予定。

　新開発の半導体封止材はＣＶ８５４０シリーズ。銅フレームパッケージ向けとセラミックパッケージ向けの２種類がある。トランスファ成形、圧縮成形の両成形法に対応できる。

　独自の高耐熱樹脂設計技術により、業界最高となる２１０度の高いガラス転移温度と熱安定性を実現した。

　マイナス４０―プラス２００度、１千サイクルの冷熱サイクル試験や２００度３千時間の高温放置試験でも樹脂封止材とリードフレームおよび素子との剥離や樹脂封止部分にクラックが発生しない。

　銅フレームパッケージ向け／セラミック基板パッケージ向け特性▽線膨張係数１４／１１ｐｐｍ／度、曲げ強さ１１０／１００ＭＰａ▽曲げ弾性率１３／１３ＧＰａ▽吸湿率０.３／０.３％▽成形収縮率０.１５／０.１％。