電波プロダクトニュース



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12月17日 151217_02 ルネサスエレクトロニクス 半導体集積回路 メモリー 自動車機器用

車載情報機器のSoC向けリアルタイムで画像処理する内蔵SRAM


 ルネサスエレクトロニクスは自動運転に不可欠なリアルタイムで画像処理する内蔵SRAM(書き込みが可能で記憶保持動作が不要な揮発性メモリー)を開発した。

 今回のチップは、16ナノ(ナノは10億分の1)メートルプロセスによる車載情報機器用SoC向けデュアルポートタイプの内蔵SRAM。0.7Vの定電圧で、688ピコ(ピコは1兆分の1)秒の高速動作と世界トップクラスの3.6メガビット/平方ミリメートルの高集積度を実現した。

 カーナビや先進運転支援システム(ADAS)などの自動運転用情報機器は大きな進化を遂げている。処理性能向上の要求は著しく、回路の微細化、集積度の向上、クロック周波数の高速化などの対応だけでは限界があった。

 開発したSRAMは、車載情報機器用SoCに搭載する画像バッファメモリーに最適化を図った。

 また、画像を細かく分割し、処理を並列化するアルゴリズムにより性能をさらに向上する必要があり、一般的な内蔵SRAMの約2倍のメモリーアクセス性能を実現する必要もあった。同時に読み出し・書き込み動作ができるデュアルポートタイプの内蔵SRAMが求められていた。このSRAMは占有する面積が大きく、消費電力の増大、動作下限電圧マージンの悪化など、様々な課題があった。

 同社は、FinFET用に最適化したデュアルポートSRAM用メモリーセルを採用することで、これらの課題を解決した。

 シングルポートSRAM向けに開発したワード線ブースト型アシスト回路技術をこのデュアルポートSRAMにも適用。低電圧でも安定して高速読み出し・書き込み動作が可能となり、小面積で消費電力を抑えることが可能となった。


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