電源システムを低消費電力化小型化可能なパワー半導体5タイプ

1200V SiC-SBD TO-247パッケージ

　三菱電機は、太陽光発電装置やＥＶ用充電器などの電源システムの低消費電力化・小型化に貢献するパワー半導体の新製品として、ＳｉＣを用いた１２００Ｖ耐圧の「１２００Ｖ　ＳｉＣ―ＳＢＤ」５タイプを１９年６月にサンプル提供を開始し、２０年１月から順次発売する。

　新製品はＳｉＣを採用することで、Ｓｉと比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約２１％低減できる。高速スイッチングが可能となり、リアクトルなど周辺部品の小型化に貢献する。

　ｐｎ接合とショットキー接合を組み合わせたＪＢＳ構造の採用により、高サージ耐量を実現することで、高信頼性に寄与する。

　また、一般的なＴＯ―２４７パッケージに加え、絶縁距離を拡大したＴＯ―２４７−２パッケージの採用により、民生品をはじめ、産業などの様々な用途に対応する。

　さらに、ＡＥＣ―Ｑ１０１に準拠した製品（ＢＤ２０１２０ＳＪ）もラインアップし、車載用途にも対応する。

　近年、省エネおよび環境保護の観点から、電力損失の大幅な低減や、高速スイッチングが可能なＳｉＣを用いたパワー半導体への期待が高まっている。このような中、太陽光発電やＥＶ用充電器などの電源システムではディスクリート品も求められていることから、発売することにした。

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