電波プロダクトニュース



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8月12日 190812_01 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー 汎用コンピュータ用

業界初136層V-NANDを採用した250GBのSSD


136層V-NAND採用の
250ギガビットSATA SSD

【ソウル支局】韓国のサムスン電子はこのほど、PCのOEM向けに第6世代の136層3ビットV―NANDを採用した250GBSATA SSDの量産を開始した。

 ベースとなるV―NANDは、業界初となる100層以上のセルを積層した製品で容量は256ギガビット。サムスン独自の「チャネルホール・エッチング」技術を活用することで、前世代の90層クラスのシングルスタック構造に比べ、40%多くセルを積層することに成功した。136層で構成される導電性スタック金型は、最上部から最下部まで円筒形の穴が垂直貫通しており、均一の3Dチャージ・トラップ・フラッシュを形成している。

 各セル領域においてスタックの高さが増すと、NANDフラッシュはエラーや読み込み遅延が起こりやすくなるが、サムスンは速度最適化回路設計を取り入れることで、この問題を解決。

 書き込み時450μ秒以下、読み込み時45μ秒のデータ伝送を実現し、前世代に比べて性能は10%以上向上。同時に消費電力は15%低減した。

 速度最適化設計により、サムスンは現在のスタックを三つ積み上げただけで、性能や信頼性を損なわず、300層以上の次世代V―NANDソリューションを提供できると説明する。

 また、256ギガビットのチップを作るのに必要なチャネルホールの数が、前世代の9億3千万から6億7千万に減少しており、これによりチップサイズが縮小され、工程数も減少。20%以上も生産性が向上したとしている。

 チップの高速・低電力性能を活用してサムスンは今後、3D V―NANDを次世代モバイル機やエンタープライズサーバー、さらに高い信頼性が求められる自動車市場向けにも提供していく考えだ。


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