過電流検出機能などを内蔵した中大電流IGBT/MOSFETプリドライブ用フォトカプラ「TLP5231」

東芝デバイス＆ストレージの フォトカプラ「TLP5231」

　東芝デバイス＆ストレージは、コレクタ電圧モニターによる過電流検出機能など、各種機能を内蔵した中大電流ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴプリドライブ用フォトカプラ「ＴＬＰ５２３１」を製品化した。産業用インバータをはじめ、太陽光発電用パワーコンディショナなどに向けて量産出荷を開始した。

　新製品は、後段のｐチャンネルおよびｎチャンネルのコンプリメンタリＭＯＳＦＥＴバッファ（増幅）を介して、中大電流ＧＢＴおよびＭＯＳＦＥＴのゲートをコントロールするプリドライバー。同社従来製品では、電流増幅のためにバイポーラトランジスタで構成したバッファ回路を使う必要があり、動作中は常にベース電流を消費していた。

　新製品では、外付けのコンプリメンタリＭＯＳＦＥＴバッファを使うことができるため、電流を消費するのはバッファＭＯＳＦＥＴゲートの充放電時のみとなり、低消費電力化が図れる。また、外付けのコンプリメンタリＭＯＳＦＥＴバッファサイズを変えるだけで、様々なＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴで必要なゲート電流を作ることが可能。

　新製品とＭＯＳＦＥＴバッファ、ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴの構成をプラットフォームにすることで、システムのパワーサイズに応じたラインアップをカバーできるため、設計負荷の軽減に貢献する。

　また、過電流検出後のＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴゲート電圧のソフトターンオフ時間は、ＭＯＳＦＥＴバッファとは別の外付けＭＯＳＦＥＴを介して制御できる。さらに、コレクタ電圧モニターによる過電流検出時に加え、ＵＶＬＯ検出時にも１次側にフォルト信号を出力する。新製品は、同社従来製品にない新たな特徴により、従来製品と比べてゲート駆動回路の設計を容易にできる。

　ＩＧＢＴ／パワーＭＯＳＦＥＴゲートドライブ（プリドライバー）のほか、ＡＣ／ブラシレスＤＣモーター制御、汎用インバータ／無停電電源（ＵＰＳ）、太陽光発電用パワーコンディショナなどの用途に適する。

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