パワー半導体「SiC−MOSFET」6種、低電力損失と高い誤動作耐量

三菱電機のSiC−MOSFET 1200V−Nシリーズ

　三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V−Nシリーズ」6品種のサンプル提供を、7月から開始する。

　低電力損失と高い誤動作耐量を両立し、高電圧での電力変換を要する車載充電器や太陽光発電などの様々な電源システムの低消費電力化・小型化に貢献する。

　JFETドーピング技術（JFET領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術）を適用した新開発のSiC-MOSFET搭載することで、低オン抵抗と低スイッチング損失を両立し、業界最高水準の性能指数（FOM＝1450mΩ・nC〈パワーMOSFETの性能指標。数値が小さいほど性能が優れる〉）を実現した。

　従来のSi−IGBT品と比べて電力損失を約85％低減し、電源システムの低消費電力化に貢献する。

　誤動作を誘引する帰還容量（MOSFETの構造上存在するゲート・ドレイン間の寄生容量）の低減により、一般的なSiC-MOSFETの課題である誤動作耐量を他社同等品比で約14倍改善（誤動作耐量を入力容量／帰還容量として算出）したことで高速スイッチング動作が可能となり、スイッチング損失低減に寄与する。

　スイッチング損失低減による放熱機器の小型・簡素化や、高キャリア周波数（インバータ回路におけるスイッチング素子のON／OFFタイミングを決める周波数）駆動によるリアクトル等の周辺部品の小型化により、システム全体での小型化と低コスト化に貢献。

　AEC−Q101（車載電子部品の品質規格）に準拠した3品種を含む計6品種をラインアップ。車載充電器や太陽光発電などの幅広い電源システムに対応する。同製品は「PCIM Asia 2020」（11月16−18日、上海）に出展する。

| 全新製品情報 | 一般電子部品:製品別リスト |
| 電子デバイス:製品別リスト | 電子デバイス:用途別リスト|
| ホームページへ戻る | 次データへ |