200619_01 トレックス・セミコンダクター

200619_01

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
6月19日	200619_01	トレックス・セミコンダクター	半導体素子	ディスクリート	一般産業用

MOSFETの新シリーズ開発、低オン抵抗、高速スイッチングを実現

XP231P02015R

　トレックス・セミコンダクターはこのたび、MOSFETの新シリーズとして「XP231P02015R（マイナス30V耐圧）」を開発した。

　新製品は、低オン抵抗、高速スイッチング特性を実現した汎用PチャンネルMOSFET。リレー回路、スイッチング回路など様々なアプリケーションに使用可能。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵している。

　パッケージは1.6×1.6×0.9ミリメートルの小型SOT-523を採用し、機器の小型化に貢献する。RoHS指令、Pbフリー対応で、環境に配慮している。